CMP化學機械拋光（ChemicalMechanicalPolishing）工藝是半導體制造過程中的關鍵流程之一，利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進行拋光以實現高質量的表面拋光。通過化學的和機械的綜合作用，從而避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。

CMP工藝的工作原理

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CMP是一個平坦化處理的過程，旋轉的工件以一定的壓力壓在隨工作臺一起旋轉的拋光墊上，由磨粒和化學氧化劑等配成的拋光液在晶片與拋光墊間流動，在工件表面產生化學反應，生成易于去除的氧化表面，再通過機械作用將氧化表面去除。最后，去除的產物被流動的拋光液帶走，露出新的表面，若干次循環去除后最終獲得均勻的平坦化晶圓表面。

CMP材料細分市場份額

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最終CMP拋光的效果與多種因素有關，其中拋光液的種類、粒徑大小、顆粒分散度、物理化學性質等均與拋光效果緊密相關。此外，拋光墊的屬性（如材料、平整度等）也極大地影響了CMP拋光的效果。

CMP拋光材料分類

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隨著集成電路芯片工藝制程技術的不斷進步，芯片的集成度不斷提高，使得晶圓制造對硅片表面的平整度要求也不斷提高，因此對CMP工藝的需求不斷增加。例如，深亞微米DRAM所需的硅片需進行3-6次CMP，深亞微米MPU需進行9-13次CMP。根據數據，2015年全球CMP拋光材料市場規模達到15.9億美元，預計到2017年將達到17.2億美元。

2012-2017年全球半導體CMP材料市場規模

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2012-2017年中國半導體CMP材料市場規模

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在市場格局方面，拋光墊目前主要被陶氏化學公司所壟斷，市場份額達到90%左右，其他供應商還包括日本東麗、3M、臺灣三方化學、卡博特等公司，合計份額在10%左右。拋光液方面，目前主要的供應商包括日本Fujimi、日本HinomotoKenmazai，美國卡博特、杜邦、Rodel、Eka，韓國ACE等公司，占據全球90%以上的市場份額，國內這一市場主要依賴進口。