隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展，推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開發(fā)DDR5芯片，可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能，支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長的需求。

　　三星DDR5芯片采用新型的硅通孔(TSV) 8 層技術(shù)，與DDR4相比，該技術(shù)使得DDR5的單個(gè)芯片能夠包含兩倍的堆棧數(shù)量。每個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊(DIMM)還提供高達(dá)512GB的存儲(chǔ)空間。其數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)4800 MT/s，專門用于處理繁重的工作負(fù)載。此外，三星DDR5還具有糾錯(cuò)碼(ECC)電路，提高產(chǎn)品可靠性。

　　雖然，各大內(nèi)存廠商紛紛推出了DDR5存儲(chǔ)產(chǎn)品，但是真正要實(shí)現(xiàn)DDR5的普及平臺(tái)的支持才是最大的問題。但是，目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)，AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì)上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等。