存儲器廣泛應用于計算機、消費電子、網絡存儲、物聯網、國家安全等重要領域，是一種重要的、基礎性的產品。2015年國內集成電路市場超過 10000 億，其中存儲器的市場總額（包括邏輯芯片中的存儲器）超過 6100 億元，市場空間巨大。

存儲器領域的基本類型

存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如 DRAM，電腦中的內存條。非易失性：斷電以后，存儲器內的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應用于代碼存儲介質中，而 NAND 則用于數據存儲。在整個存儲器芯片里面，主要有的三種產品是：DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

2016年第一季度 Nand FLASH 市場結構

DRAM市場上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達到 90%以上。從 Nand FLASH 市場來講，2016 年第一季度，三星占了 35.1%，所占市場份額很大。整個存儲器芯片里面，三星所占市場份額是最大的，目前在市場上主導地位的是閃存（flash memory）。當工藝線寬小于 16nm 的時候，傳統閃存面臨著一定的物理極限。主要的問題：1、可靠性問題。工藝線寬尺寸小于 16nm 時，厚度逐漸下降，可靠性存在問題，可靠性限制了存儲器單層的厚度。2、當然那還有構造問題。3、擦寫速度慢。4、有效的擦寫次數。

傳統閃存繼續發展面臨的技術瓶頸

三星

2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲器芯片； 2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片；2012 年基于 20nm 工藝制備 8Gb 相變存儲器芯片；2014 年發布相變存儲器的產業報告。

三星在相變存儲器領域的布局

美光

2009 年基于 45nm 工藝制備1Gb 相變存儲器芯片； 2011 年發布第一款基于相變存儲器的 SSD；2013 年基于 45nm 工藝 1Gb 相變存儲器芯片實現量產；2015 年聯合 Intel發布 3D Xpoint。

美光在相變存儲器領域的布局

意法半導體

2009 年聯合恒億共同發布 90nm 工藝 4Mb 嵌入式相變存儲器芯片；2010 年，發布了通過材料改性工程 N-GeTe 實現更好的熱穩定性及數據保持；2013 年，發布了通過材料改性工程 N-Ge-GST實現 SET與高低組保持的性能平衡。

意法半導體在相變存儲器領域的布局

IBM

2011 年 IBM發布了多值的相變存儲器操作算法，然后推出了基于 MIEC 材料選通的多層crosspoint存儲器。 2014年IBM發布了6位多值存儲電阻漂移的算法解決辦法， 2016年發布多值相變存儲器，進入 90nm 工藝。

IBM在相變存儲器領域的布局

國際其他產家，包括英特爾、臺積電等都有在其中做過相關工作。

國際其他廠商在相變存儲器領域的布局