據悉，2015年度國家科學技術獎擬于2016年1月份在人民大會堂舉辦頒獎典禮。據分析，備受矚目的技術發明一等獎有望花落“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”項目。硅襯底項目的主要參與人員孫錢表示，從國家戰略層面講，硅襯底技術是我國擁有自主知識產權的技術路線，可以構建中國完全自主的LED產業。

　　與硅襯底技術并列LED三大技術路線的藍寶石襯底技術曾獲2014年諾貝爾物理學獎。有產業經濟學家表示，在成本持續下降的背景下，硅襯底技術如若能獲得資本大力追捧，LED產業格局有望被重塑。

　　12月16日，國務院常務會議通過2015年度國家科學技術獎評選結果，根據此前的初評公示及歷史經驗判斷，2015年國家技術發明一等獎有望被“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”奪取，因為這是本年度唯一一個入選該獎項初評一等獎的項目。

　　“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”由江西省申報，項目主要參與人員包括南昌大學的江風益教授、晶能光電有限公司的孫錢等人。

　　項目資料顯示，該項目率先攻克硅基相關難題，所生產的硅襯底LED各項指標在同類研究中均處于國際領先地位，并與碳化硅、藍寶石兩條技術路線水平持平；并從襯底加工、外延生長、芯片制造、器件封裝四大環節均發明了適合硅襯底高光效藍光LED生產的關鍵核心技術，自成體系；該項技術已經申請或擁有國際國內專利232項，其中已授權發明專利127項，實現了外延芯片核心部件每一層都有專利保護。

　　據介紹，國家技術發明一等獎判定標準為：屬國內外首創的重大技術發明或創新，技術經濟指標達到了同類技術領先水平，且推動相關領域技術進步且已產生顯著的經濟或者社會效益。